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还在为嵌入式系统寻找一颗高效、稳定的“数据中转站”吗？MT46V8M16P-6T L:D TR就是您理想的答案。这颗美光出品的128Mb并行DDR SDRAM，能以高达167MHz的时钟频率飞速运转，配合仅700ps的极速访问时间，让您的应用能够轻松处理海量数据流，彻底告别卡顿与延迟。

它采用成熟的66-TSSOP封装，便于您进行表面贴装生产，宽达2.3V~2.7V的工作电压范围，让您在优化系统功耗时游刃有余。无论是工业控制器的实时运算，还是网络设备的快速数据交换，它都能提供强劲、可靠的内存支持，让您的产品性能表现始终高效如一。

• 型号:MT46V8M16P-6T L:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V8M16P-6T L:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。