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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高性能与低功耗挑战的内存核心？MT41K512M16TNA-125 M:E正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的8Gb DDR3L SDRAM芯片，拥有800MHz的高速时钟频率和仅13.5ns的快速访问时间，能显著提升您系统的数据吞吐效率，让应用程序运行如飞。

更令人心动的是，它采用先进的低电压技术（1.283V~1.45V），在提供强劲动力的同时，能大幅降低系统整体能耗，特别适合对能效有严苛要求的嵌入式、工控及通信设备。其96-TFBGA紧凑封装和宽温工作范围（0°C~95°C），更能让您轻松应对空间受限和环境复杂的设计挑战，实现稳定可靠的高效运行。

• 型号:MT41K512M16TNA-125 M:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（10x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（10x14）
• MT41K512M16TNA-125 M:E，Micron（美光）产品一站式供应商。