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MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR 零件图片(仅供参考)

MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR
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MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR 规格参数

您是否在寻找一颗能扛住极端温度、保证数据万无一失的存储核心?MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR就是您的答案。这颗1Gb并行NAND闪存芯片,能在-40°C到85°C的严酷环境中稳定运行,宽电压供电(1.7V~1.95V)让它在各种供电条件下都游刃有余,为您产品的可靠性筑起坚实防线。

它能让您的工业设备、汽车电子或智能终端轻松实现高速、大容量的非易失数据存储。无论是存储系统固件、记录关键日志,还是缓存运行数据,其高效的并联接口和可靠的性能都能让您的设计更高效、更省心。选择它,就是选择了一份来自美光科技的品质与安心。

  • 型号:MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:63-VFBGA(9x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:64M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:63-VFBGA
  • 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
  • MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR 基本参数:

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