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还在为嵌入式系统的数据瓶颈寻找突破口吗？让MT46V64M8CY-5B IT:J TR为您开启高效数据流的新篇章。这颗512Mb容量的DDR SDRAM芯片，凭借200MHz的时钟频率和仅700ps的访问时间，能轻松应对实时数据缓冲、高速程序运行等需求，显著提升系统的响应速度与多任务处理能力。

它更懂您的严苛环境挑战。其宽达-40°C至85°C的工作温度范围，配合2.5V~2.7V的低功耗设计，确保您的工业控制、通信设备或汽车电子应用在极端条件下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障，让复杂的数据存取任务变得简单而高效。

• 型号:MT46V64M8CY-5B IT:J TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V64M8CY-5B IT:J TR，Micron（美光）产品一站式供应商。