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您正在寻找一颗能扛重任、适应力强的核心存储芯片吗？MT29F2G16ABBEAH4-IT:E正是为您而来。这颗美光科技的2Gb并行NAND闪存，以其工业级的宽广温度适应能力（-40°C ~ 85°C）和稳健的1.7V~1.95V低电压运行，让您的设备即使在恶劣环境下也能实现数据的高效、可靠存储与访问。

它采用紧凑的63-VFBGA封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其并联接口确保了快速的数据传输。无论是用于工业控制、网络通信还是需要长期可靠性的嵌入式系统，这款芯片都能轻松融入您的设计，成为产品记忆中坚实而沉默的基石，保障关键信息永不丢失。

• 型号:MT29F2G16ABBEAH4-IT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G16ABBEAH4-IT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。