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还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗？MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B将彻底改变这一局面。这颗来自美光科技的384Gb并行NAND闪存芯片，就像一个高速、海量的数据仓库，能以高达333MHz的速度并行处理数据，让您的系统实现极速读写，轻松应对大数据流的实时存取需求。

它为您提供高达48G x 8的庞大存储空间，并支持2.5V至3.6V的宽电压范围，确保在各种供电环境下稳定工作。采用可靠的132-VBGA表面贴装封装，易于集成到您的设计中，显著提升产品的整体性能和可靠性。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或高端计算设备选择了一个高效、耐用的数据基石。

• 型号:MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:384Gb
• 存储器组织:48G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B，Micron（美光）产品一站式供应商。