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还在寻找一颗能同时满足大容量与高速度需求的存储芯片吗？MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR就是您的答案。这颗美光科技的128Gb并行NAND闪存，能以100MHz的高速时钟频率，让您的设备实现闪电般的数据读写，轻松应对海量信息处理任务。

它为您提供高达16G x 8的可靠非易失存储空间，宽电压（2.7V~3.6V）与宽温（0°C~70°C）支持确保了在各种应用环境下的稳定表现。无论是用于加速系统启动，还是缓存关键数据，它都能让您的设计性能更卓越，运行更高效。

• 制造商产品型号：MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PARALLEL 100MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。