我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H16M36BM-18:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能瞬间提升系统数据吞吐能力的心脏吗？MT49H16M36BM-18:B TR正是您期待的答案。这颗美光出品的576Mb并行DRAM，以高达533MHz的时钟频率和惊人的15ns访问速度，让您的设备能够轻松驾驭海量数据的实时读写与缓存任务，彻底告别延迟卡顿。

它采用高效的144-TFBGA封装和1.8V左右的核心电压，在提供强劲性能的同时兼顾了能效与散热。无论是用于加速网络设备的数据包处理，还是为图形显示提供流畅的帧缓冲，它都能让您的设计游刃有余，高效实现复杂功能，成为您打造高性能、高可靠性产品的秘密武器。

• 型号:MT49H16M36BM-18:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-18:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。