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还在寻找能让您的设备“大脑”飞速运转的内存解决方案吗？MT46V32M16CY-5B IT:J正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的512Mb DDR SDRAM芯片，以其200MHz的高时钟频率和惊人的700ps访问速度，专门为您解决数据吞吐的瓶颈，让实时处理海量信息变得轻松而高效。

它采用32M x 16的并联接口和2.5V~2.7V的低电压设计，在提供宽阔数据带宽的同时，显著优化了系统能效。无论是驱动复杂的图形界面、缓冲高速网络数据，还是支持工业控制系统的即时运算，它都能确保数据流畅无阻。其坚固的60-TFBGA封装和宽温（-40°C ~ 85°C）特性，更能让您的产品在各种严苛环境下稳定运行，可靠性毋庸置疑。

• 型号:MT46V32M16CY-5B IT:J
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V32M16CY-5B IT:J，Micron（美光）产品一站式供应商。