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MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR
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MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR 规格参数

还在寻找一颗能扛起高速数据存取重任的核心存储芯片吗?MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR正是您期待的答案。这颗美光科技的64Gb并行NAND闪存,凭借167MHz的高时钟频率,能轻松驾驭对速度有严苛要求的应用场景,让您的设备数据读写如行云流水般高效顺畅。

它为您提供高达64Gb的海量非易失存储空间,宽电压(2.7V-3.6V)与宽温(-40°C至85°C)的强悍特性,确保您的产品即使在极端环境下也能稳定可靠地保存关键数据。无论是工业控制、网络通信还是汽车电子,它都能无缝集成,成为您系统中坚实可靠的“记忆中枢”。选择它,就是为您的产品选择了一份经久耐用的高性能存储保障。

  • 型号:MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:152-VBGA(14x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:64Gb
  • 存储器组织:8G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:167 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:152-VBGA
  • 供应商器件封装:152-VBGA(14x18)
  • MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR 基本参数:

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