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您是否正在寻找一颗能扛起海量数据存储重任，同时保持高速稳定读写的核心芯片？MT29F128G08CFABBWP-12:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存芯片，能轻松为您构建一个庞大而可靠的数据基地，无论是复杂的系统程序、丰富的多媒体内容还是持续增长的用户日志，都能被安全、高效地容纳与管理。

它通过并联接口和83MHz的时钟频率，为您提供流畅的数据通道，显著提升系统的整体响应速度。宽电压设计（2.7V~3.6V）让它能适应更广泛的供电环境，而表面贴装的48-TFSOP封装则便于您进行紧凑的电路板设计。选择它，就是为您的嵌入式系统、工业设备或网络应用注入一颗强劲、可靠的存储之心，让数据存取变得轻松而高效。

• 型号:MT29F128G08CFABBWP-12:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F128G08CFABBWP-12:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。