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您是否正在为下一代高性能嵌入式设备寻找一颗强大的“数据心脏”？MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的8Gb移动LPDDR SDRAM，拥有256M x 32的并行位宽，能为您提供高达200MHz的疾速数据吞吐能力，让您的处理器无需等待，尽情释放计算潜能。

它专为应对严苛挑战而设计。1.7V~1.95V的低电压供电，让您轻松实现系统级节能；宽广的-25°C至85°C工作温度范围，则确保了从酷暑到严寒的极端环境下依然稳定如初。无论是工业控制、通信基础设施还是车载系统，它都能以5ns的极速访问时间和可靠的性能，成为您产品高效、稳定运行的坚实后盾。

• 型号:MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-VFBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-VFBGA
• 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12）
• MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。