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还在为嵌入式系统寻找一颗高速、稳定又省心的“记忆核心”吗？MT45W512KW16BEGB-708 WT TR就是您期待的答案。这颗美光出品的8Mb并行PSRAM，能为您提供512K x 16位的高效存储空间，其70ns的极速访问与写入能力，让您的处理器无需等待，数据流转如飞，极大提升系统实时响应性能。

更令人心动的是，它能在1.7V至1.95V的低电压下稳定工作，显著降低系统整体功耗，让您的便携设备续航更持久。同时，其小巧的54-VFBGA表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，让设计更紧凑、更优雅。选择它，就是选择了一种高效、可靠的设计方案，轻松应对工业控制、医疗电子、高端消费设备等领域的严苛挑战。

• 型号:MT45W512KW16BEGB-708 WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（6x8）
• MT45W512KW16BEGB-708 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。