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还在为嵌入式系统的数据吞吐效率而烦恼吗？让MT46V64M8BN-5B:F为您带来改变。这颗512Mb容量的DDR SDRAM芯片，拥有高达200MHz的运行频率和惊人的快速响应能力，能轻松担当起您系统中数据高速缓冲与交换的核心角色。

它采用2.5V低电压工作，功耗控制出色，配合稳定的并行接口，让您的设计在实现高效数据处理的同时，也能兼顾系统的整体能效与可靠性。无论是维持程序流畅运行，还是加速大量数据的临时存储与访问，它都能让您的产品性能表现更加游刃有余。

• 型号:MT46V64M8BN-5B:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8BN-5B:F，Micron（美光）产品一站式供应商。