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您是否正在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心？MT29F512G08CMECBH7-12:C TR正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，拥有64G x 8的并行架构，能以高达83MHz的时钟频率迅猛处理数据，让您的设备实现极速启动与流畅运行。

它采用2.7V~3.6V宽电压设计，并支持0°C~70°C的工作温度范围，确保在各种应用环境中稳定工作。152-TBGA的紧凑封装更便于您进行高密度电路板设计。选择它，就是为您的项目选择了一个高效、可靠的数据存储基石，轻松应对海量信息处理挑战。

• 型号:MT29F512G08CMECBH7-12:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-TBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-TBGA
• 供应商器件封装:152-TBGA（14x18）
• MT29F512G08CMECBH7-12:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。