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还在为嵌入式系统寻找一颗“恰到好处”的内存核心吗？MT47H32M16CC-3E:B TR就是您的理想答案。这颗由美光科技出品的512Mb DDR2 SDRAM，采用32M x 16的并行架构，能以高达333MHz的速度与您的处理器高效对话，让数据存取行云流水，显著提升系统响应能力。

它能让您轻松构建稳定可靠的存储子系统。1.8V的标准工作电压有助于控制整体功耗，而0°C至85°C的工业级工作温度范围，则让它能从容应对各种环境挑战。无论是用于工控设备、网络通讯还是消费电子，它都能成为您系统中沉默而可靠的基石，助您高效实现产品设计目标。

• 型号:MT47H32M16CC-3E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（12x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（12x12.5）
• MT47H32M16CC-3E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。