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还在为嵌入式系统或工业设备寻找一颗性能稳定、久经考验的存储核心吗？MT47H128M8BT-5E L:A正是您理想的答案。这颗来自美光科技的1Gb DDR2 SDRAM芯片，能以高达200MHz的时钟频率和极低的访问延迟，为您的高速数据处理需求提供强劲动力，让您的应用运行如飞。

它采用经典的128M x 8位宽和并行接口，确保大数据流吞吐顺畅无阻。1.8V左右的核心电压设计，帮助您有效控制系统功耗，提升能效。其坚固的92-VFBGA封装和宽温工作特性，让您能轻松将其部署在各种要求严苛的工业与网络环境中，为设备的长期稳定运行保驾护航。

• 型号:MT47H128M8BT-5E L:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:92-FBGA（11x19）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:92-TFBGA
• 供应商器件封装:92-FBGA（11x19）
• MT47H128M8BT-5E L:A，Micron（美光）产品一站式供应商。