我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H64M9BM-25:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统数据处理的瓶颈而烦恼吗？让MT49H64M9BM-25:B TR为您带来飞跃式的体验。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，凭借400MHz的高时钟频率和仅20ns的访问时间，能轻松应对高速数据读写需求，显著提升您的设备响应速度与运行流畅度。

它采用1.7V~1.9V低电压设计，在提供强劲性能的同时兼顾能效，帮助您优化整体功耗。其表面贴装的144-TFBGA封装形式，让您能更高效地进行高密度电路板布局。无论是用于数据缓冲、临时存储还是实时处理，它都能成为您系统中可靠高效的数据枢纽，让复杂任务变得简单顺畅。

• 型号:MT49H64M9BM-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:64M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H64M9BM-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。