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还在为系统内存带宽不足而限制创新步伐吗？MT44K32M36RB-107E:A TR就是您突破瓶颈的利器。这颗基于先进RLDRAM 3技术的1.125Gb DRAM芯片，凭借高达933MHz的运行频率和仅8ns的超低访问时间，能为您的高速网络、电信及计算应用提供澎湃的数据吞吐动力，让数据存取如闪电般迅捷。

它采用高效的32Mb x 36并联架构，为您构建高带宽、低延迟的存储子系统提供了坚实基础。宽广的1.28V~1.42V工作电压范围和0°C~95°C的坚固耐温特性，确保它在各种复杂环境下都能稳定运行，让您的设计更可靠、更富竞争力。选择它，就是选择让您的产品性能轻松跃升至新高度。

• 型号:MT44K32M36RB-107E:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:32M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K32M36RB-107E:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。