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MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR 零件图片(仅供参考)

MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR
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MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR 规格参数

您是否在寻找一颗能同时担当数据仓库和高速工作台的存储芯片?MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR正是您的理想答案。它将2Gb容量的NAND闪存与等容量的LPDDR2 DRAM高效集成,让您的设备既能永久保存重要信息,又能拥有高达533MHz的疾速数据处理能力。

这颗芯片的核心价值在于化繁为简。它采用1.8V低电压设计,显著降低系统功耗;162-VFBGA的紧凑封装,为您节省宝贵的PCB空间。无论是需要快速启动和实时响应的工业设备,还是对体积和能效有严苛要求的便携产品,它都能让您的设计更高效、更可靠。选择它,就是选择了一个经过验证的、高性能的存储与内存一体化解决方案。

  • 制造商产品型号:MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH RAM 2GBIT PAR 162VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:FLASH,RAM
  • 技术:FLASH - NAND,DRAM - LPDDR2
  • 存储容量:2Gb(256M x 8)(NAND),2G(64M x 32)(LPDDR2)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.8V
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:162-VFBGA
  • MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR 基本参数:

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