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还在为嵌入式系统或专业设备寻找一颗强劲、可靠的“记忆核心”吗？MT8VDDT3264HY-40BG3内存模块就是您期待的答案。它搭载256MB DDR SDRAM，以400MT/s的高速数据传输能力，显著提升系统处理效率，让您的应用程序运行更流畅，数据存取更迅捷。

这颗采用标准200-SODIMM封装的模块，能轻松集成到空间受限的设计中，为您节省宝贵的布局空间。无论是工业控制、网络通信还是其他需要稳定高性能内存的领域，它都能提供持久可靠的运行支持，有效减少系统延迟与卡顿。

选择MT8VDDT3264HY-40BG3，意味着您选择了美光科技的卓越品质与稳定供应。它将助您轻松构建响应更快、运行更稳的硬件平台，是您项目成功不可或缺的关键部件。

• Micron美光半导体完整型号: MT8VDDT3264HY-40BG3
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 功能总体简述: MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
• 系列: -
• 存储器类型: DDR SDRAM
• 存储容量: 256MB
• 速度: 400MT/s
• 封装/外壳: 200-SODIMM
• MT8VDDT3264HY-40BG3，Micron（美光）产品一站式供应商。