我们为全球各个行业提供Micron（美光） NP8P128AE3TSM60E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为存储器的速度与耐用性纠结吗？NP8P128AE3TSM60E这颗128Mb相变存储器（PCM）就是您的答案。它采用先进的PCM（PRAM）技术，提供135ns的极速读写周期，让您的系统数据存取如闪电般迅捷，同时确保数据在断电后依然安全无虞。

它为您带来的是工业级的可靠性。宽达2.7V~3.6V的工作电压和-30°C~85°C的宽温范围，让您的设备轻松应对电力波动与严苛环境挑战。无论是通过并联还是SPI接口，它都能高效融入您的设计，成为系统中那个沉默却无比可靠的数据守护者，显著提升整体性能与稳定性。

• 型号:NP8P128AE3TSM60E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PCM 128MBIT PARALLEL 56TSOP
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:PCM（PRAM）
• 技术:PCM（PRAM）
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8
• 存储器接口:并联，SPI
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:135ns
• 访问时间:135 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• NP8P128AE3TSM60E，Micron（美光）产品一站式供应商。