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MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR 零件图片(仅供参考)

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR
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MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR 规格参数

还在为设备卡顿、续航短而烦恼吗?MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR就是您期待的解决方案。这颗美光LPDDR4 DRAM芯片,能为您的高端移动设备注入强劲动力,让应用程序加载更快、多任务处理更流畅,彻底告别等待。

它凭借1600MHz的高频率和8Gb大容量,轻松应对高清视频、大型游戏等重度负载,确保极致流畅的用户体验。同时,其1.1V超低工作电压能显著降低系统功耗,有效延长电池续航,让您的产品在性能和能效间取得完美平衡。选择它,就是选择高效与可靠,让您的产品设计一步到位。

  • 制造商产品型号:MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 8GBIT 1600MHZ FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:8Gb(256M x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1600MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR 基本参数:

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