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还在为系统数据吞吐速度不够快而烦恼吗？让MT41J128M8JP-15E AIT:G来彻底改变这一切！这颗1Gb容量的DDR3 SDRAM芯片，凭借其128M x 8的并行架构和高达667MHz的时钟频率，能为您的高速处理器提供源源不断的“数据燃料”，轻松应对大数据流的实时读写需求，显著提升整体系统响应速度和运行效率。

它专为严苛环境而生，支持-40°C至95°C的极端工作温度范围和宽电压供电，让您的工业控制、通信设备或汽车电子应用无惧挑战，稳定运行。其紧凑的78-TFBGA表面贴装封装，更便于您进行高密度的PCB布局设计，节省宝贵空间。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、可靠且坚韧的内存核心。

• 型号:MT41J128M8JP-15E AIT:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:667 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x11.5）
• MT41J128M8JP-15E AIT:G，Micron（美光）产品一站式供应商。