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您正在寻找一颗能显著提升系统数据吞吐能力的核心存储器吗？MT49H16M16FM-5 TR正是您的理想之选。这颗美光科技的256Mb并行DRAM，拥有高达200MHz的时钟频率和16位数据宽度，能让您的设备轻松应对海量数据的实时读写需求，无论是高速缓存还是临时数据存储，都游刃有余，极大提升整体运行效率。

它采用先进的1.7V~1.95V低电压设计，在保证强劲性能的同时，有效帮助您降低系统功耗。其0°C至95°C的宽工作温度范围和稳定的144-TFBGA封装，确保了在各类严苛环境下都能持久可靠地工作。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或高端消费电子项目注入一颗强劲而稳定的“数据心脏”。

• 型号:MT49H16M16FM-5 TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M16FM-5 TR，Micron（美光）产品一站式供应商。