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它采用先进的1.1V低电压设计，在提供强劲性能的同时，显著优化系统功耗，延长电池续航。其坚固的432球VFBGA封装和宽温工作特性（-30°C至85°C），确保在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的产品选择了高效、可靠的内存解决方案，助力您打造出更卓越的用户体验。

• 型号:MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:432-VFBGA（15x15）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:512M x 64
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:432-VFBGA
• 供应商器件封装:432-VFBGA（15x15）
• MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。