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还在寻找一颗能同时满足大容量与高速度需求的存储芯片吗？MT29F512G08CKCABH7-6R:A正是您的理想之选。它拥有512Gb的巨大存储空间，并采用高速并行接口与166MHz时钟频率，能让您的设备实现快速的数据读写与缓存，显著提升系统响应效率。

这颗芯片基于美光科技可靠的NAND闪存技术，具备非易失特性，断电后数据依然安全。其宽电压供电（2.7V-3.6V）与0°C~70°C的工作温度范围，让您能轻松将其集成到各种工业控制、网络通信及嵌入式系统中，构建稳定可靠的数据存储层，为您的产品性能提供强大助力。

• 型号:MT29F512G08CKCABH7-6R:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-TBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-TBGA
• 供应商器件封装:152-TBGA（14x18）
• MT29F512G08CKCABH7-6R:A，Micron（美光）产品一站式供应商。