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还在为嵌入式系统的数据缓存速度而烦恼吗？让MT46V64M8TG-6T IT:D TR为您带来焕然一新的体验！这颗512Mb（64M x 8）容量的DDR SDRAM芯片，就像为您系统的数据流配备了一条高速通道。其高达167MHz的时钟频率和惊人的700ps访问时间，能让您的应用轻松实现快速数据读写，大幅提升整体响应效率和处理能力。

它采用2.3V~2.7V低电压运行，有效帮助您降低系统功耗。宽泛的-40°C至85°C工作温度范围，则确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作。无论是工业自动化、网络设备还是需要持续高性能的其他应用，这颗芯片都能让您的设计更加游刃有余，轻松应对复杂任务。

• 型号:MT46V64M8TG-6T IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8TG-6T IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。