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还在寻找能够同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心吗？MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G正是您的理想之选。这颗64Gb并行NAND闪存芯片，凭借高达167MHz的时钟频率，能让您的设备实现闪电般的数据读写，轻松应对实时数据流处理、快速系统启动等苛刻需求。

它为您提供高达8G x 8的存储空间，让您能在嵌入式系统、工业设备或网络硬件中集成海量数据存储，而无需担心空间占用。其2.7V~3.6V的宽电压范围和0°C~70°C的工作温度，确保了在各种供电环境和温度条件下都能稳定高效运行，极大提升了您产品的环境适应性和可靠性。选择它，就是为您的设计选择了一个坚实、高性能的数据基石。

• 制造商产品型号：MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64GBIT PARALLEL 167MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：64Gb（8G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G，Micron（美光）产品一站式供应商。