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还在为嵌入式系统或网络设备寻找一颗能跟上数据节奏的“心脏”吗？MT41J512M8RH-107:E就是您期待的答案。这颗美光出品的4Gb DDR3 SDRAM芯片，能以高达933MHz的速度运行，配合仅20ns的快速访问时间，让您的应用轻松处理海量数据流，告别延迟卡顿，体验飞一般的响应速度。

它采用紧凑的78-TFBGA封装和1.5V供电，在为您节省板卡空间的同时，也实现了高性能与低功耗的完美平衡。无论是运行在严苛的工业环境还是密集的计算任务中，它都能稳定可靠地工作，让您的产品设计更具竞争力，用户体验更加流畅高效。

• 型号:MT41J512M8RH-107:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41J512M8RH-107:E，Micron（美光）产品一站式供应商。