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还在寻找一颗能瞬间响应、高效处理并行数据的内存核心吗？MT46V16M16TG-5B:F TR正是您期待的答案。这颗美光出品的256Mb DDR SDRAM，拥有200MHz的高时钟频率和惊人的700ps访问速度，能让您的系统数据读写如行云流水般顺畅，彻底释放主处理器的性能潜力。

它采用16位宽并联接口和2.5V低电压设计，不仅提供高达256Mb（16M x 16）的存储容量，更能让您轻松构建高效、节能的数据缓冲与处理单元。无论是用于提升现有设备的响应速度，还是作为新项目可靠的数据基石，它都能让您的设计事半功倍，稳定运行于各种应用环境。

• 型号:MT46V16M16TG-5B:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V16M16TG-5B:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。