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还在寻找能同时满足高性能与低功耗需求的存储解决方案吗？MT53D1024M32D4DT-046 WT:D TR正是您的理想之选。这颗32Gb容量的LPDDR4移动DRAM，以高达2.133GHz的疾速频率，为您的高速设备提供源源不断的数据洪流，无论是复杂的多任务处理还是高清媒体渲染，都能轻松应对，瞬间完成。

它采用先进的1.1V低电压供电和高效的Mobile LPDDR4技术，在释放强劲性能的同时，显著优化了系统功耗，有效延长了移动设备的续航时间。其紧凑的200-VFBGA封装和宽温工作特性（-30°C ~ 85°C），让您能够更自由地设计产品，从容应对各种应用环境挑战，是打造下一代智能终端核心竞争力的关键组件。

• 型号:MT53D1024M32D4DT-046 WT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-VFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:1G x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-VFBGA
• 供应商器件封装:200-VFBGA（10x14.5）
• MT53D1024M32D4DT-046 WT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。