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在数据为王的时代，您的设备是否渴望一颗强大而稳健的“记忆核心”？MT29F4G08ABADAH4-ITX:D TR正是这样一款能赋予您产品卓越数据承载力的关键组件。它是一颗4Gb容量、采用并行接口的工业级NAND闪存，能轻松为您存储海量程序代码、用户数据或系统日志，让您的设备运行更流畅，信息处理更从容。

这颗芯片专为应对挑战而设计。其宽广的工业级温度范围（-40°C ~ 85°C）和宽电压支持（2.7V ~ 3.6V），让您的产品无惧严寒酷暑与电源波动，在工业控制、汽车电子、网络设备等要求苛刻的领域也能稳定可靠地工作。紧凑的63-VFBGA封装更便于您实现高密度的电路板设计，有效节省宝贵空间。选择它，就是为您的系统选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:MT29F4G08ABADAH4-ITX:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABADAH4-ITX:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。