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您是否正在寻找一颗能扛起系统数据存储重任，同时兼顾高效能与高可靠性的核心芯片？MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR正是为此而生。它为您提供高达2Gb（256M x 8）的海量非易失存储空间，采用高速并联接口，让您的设备能够轻松、快速地存取固件、用户数据和多媒体内容，彻底告别卡顿与等待。

这颗芯片基于成熟的NAND闪存技术，在1.7V至1.95V的低电压下高效运行，显著优化系统功耗，延长电池续航。其坚固的设计支持-40°C至85°C的宽温工作范围，确保您的产品无论面对严寒还是酷暑，都能稳定可靠地运行。选择它，就是为您的智能设备选择了一个经久耐用、值得信赖的数据基石。

• 型号:MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。