我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F1T208ECCBBJ4-37ES:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储解决方案吗？MT29F1T208ECCBBJ4-37ES:B TR正是为您而来的答案。这颗由美光科技打造的1.125Tb并行NAND闪存芯片，拥有高达267MHz的时钟频率，能让您的系统实现闪电般的数据读写，轻松应对数据中心、企业存储及高端嵌入式应用中的密集型数据负载。

它采用可靠的表面贴装型132-VBGA封装，工作电压范围宽达2.7V至3.6V，并支持0°C至70°C的工业级温度范围，确保了在各种复杂环境下的稳定运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的“数据引擎”，让您高效构建性能卓越、值得信赖的终端设备，从容驾驭数据洪流。

• 制造商产品型号：MT29F1T208ECCBBJ4-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.125T PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.125Tb（144G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F1T208ECCBBJ4-37ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。