我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR将彻底改变您的体验。这颗由美光科技打造的2Tb大容量并行NAND闪存芯片，就像一个高速、海量的数据仓库，能以高达167MHz的时钟频率进行数据交换，让您轻松应对海量信息的瞬间写入与读取，极大提升系统整体响应速度。

它采用可靠的并联接口和表面贴装设计，电压适应范围宽（2.7V~3.6V），能在0°C至70°C的温度下稳定工作。这意味着无论是复杂的工业环境还是持续运行的数据中心，它都能为您提供坚实、高效的非易失存储解决方案，让您的产品设计更稳健，性能更出众。

• 型号:MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-LBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2TB PARALLEL 152LBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Tb
• 存储器组织:256G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-LBGA
• 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
• MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。