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还在寻找能瞬间提升设备响应速度的核心部件吗？MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的32Gb移动LPDDR4 DRAM，凭借2133MHz的高频与64位宽接口，能为您的高速处理器提供源源不断的数据流，彻底告别卡顿，让应用运行和多媒体处理变得无比流畅。

它不仅仅追求速度，更注重能效平衡。1.1V的低电压设计，让您在享受澎湃性能的同时，有效控制设备功耗，延长电池续航。其坚固的432-VFBGA封装和宽温工作特性（-30°C ~ 85°C），确保您的产品无论是在炎夏户外还是严寒车间，都能稳定可靠地运行。选择它，就是为您的智能手机、平板、车载系统或工业设备，注入一颗高效、可靠且持久强劲的“数据心脏”。

• 制造商产品型号：MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 432VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：432-VFBGA
• MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E，Micron（美光）产品一站式供应商。