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还在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心吗？MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR正是您的理想之选。这颗256Gb的NAND闪存芯片，采用并联接口，时钟频率高达100MHz，能为您的高速计算、数据缓存和实时处理应用提供强劲的数据吞吐支持，让系统响应快人一步。

它基于成熟的闪存技术，提供非易失性存储，确保数据安全无忧。2.7V~3.6V的宽电压设计和0°C~70°C的工作温度范围，赋予了它出色的环境适应能力，让您的设备在各种条件下都能稳定运行。采用100-TBGA表面贴装封装，集成度高，便于您进行紧凑的电路板设计，轻松实现产品的小型化与高性能化。

• 型号:MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-TBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-TBGA
• 供应商器件封装:100-TBGA（12x18）
• MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。