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MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A TR 零件图片(仅供参考)

MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A TR
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MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A TR 规格参数

还在为寻找一颗能兼顾大容量、高可靠性与出色性价比的存储芯片而烦恼吗?MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A TR正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的512Gb TLC NAND闪存,能轻松为您的智能手机、平板电脑、嵌入式系统等设备提供海量数据仓库,让您从容存储数以万计的高清照片、超清视频或大型应用程序。

它采用先进的64Gx8架构,旨在实现高效的数据读写,显著缩短加载时间,让设备响应更加迅捷。无论是复杂的多任务处理还是持续的数据流写入,它都能稳定高效地工作,极大提升终端用户的使用体验。选择它,就是选择了一份由业界巨头背书的品质承诺与性能保障。

  • 制造商产品型号:MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:TLC 512G 64GX8 VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:-
  • 存储器格式:-
  • 技术:-
  • 存储容量:-
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF:A TR 基本参数:

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