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您是否正在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与工业级可靠性的存储核心？MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A正是为您而来。这颗由美光科技出品的512Gb NAND闪存芯片，采用先进的并联接口，时钟频率高达100MHz，能让您的设备实现高效的数据读写，轻松应对海量信息存储与快速调用的挑战。

它采用132-LBGA表面贴装封装，集成度高，节省空间。宽电压供电（2.7V~3.6V）与0°C至70°C的工业级工作温度范围，确保了它在各种复杂应用环境中都能稳定运行，让您的产品设计无后顾之忧。无论是用于数据缓存、程序存储还是大容量日志记录，它都能成为您设备中值得信赖的数据基石。

• 型号:MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-LBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132LBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-LBGA
• 供应商器件封装:132-LBGA（12x18）
• MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A，Micron（美光）产品一站式供应商。