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还在为嵌入式系统的代码存储与快速执行寻找可靠伙伴吗？JR28F064M29EWTB TR正是您期待的答案。这颗64Mb并行NOR闪存芯片，能为您的高速处理器提供即时可用的程序存储空间，其70ns的极速访问时间，让系统启动和代码执行无比流畅，显著提升整体响应性能。

它支持灵活的x8或x16数据位宽，让您的硬件设计游刃有余。宽广的2.7V至3.6V工作电压范围和-40°C~85°C的工业级温度耐受，确保您的设备无论是在电网波动还是极端环境下，都能稳定可靠地守护每一比特关键数据。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的存储效能与坚韧品质。

• 型号:JR28F064M29EWTB TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:8M x 8，4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• JR28F064M29EWTB TR，Micron（美光）产品一站式供应商。