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还在为系统数据吞吐的瓶颈而烦恼吗？让MT47H64M8CF-25E L:G为您带来流畅体验。这颗来自美光科技的512Mb DDR2 SDRAM芯片，凭借400MHz的高时钟频率和仅400ps的快速访问时间，能显著提升您设备的数据处理速度，让指令执行更迅捷，多任务运行更从容。

它采用1.8V左右的标准低电压供电，在提升性能的同时有效控制功耗。其工业级的工作温度范围（0°C至85°C）和可靠的60-TFBGA封装，确保它能在各种复杂的嵌入式、工控及网络应用环境中稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、可靠的数据交换核心，让您的设计轻松应对性能挑战。

• 型号:MT47H64M8CF-25E L:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H64M8CF-25E L:G，Micron（美光）产品一站式供应商。