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还在为嵌入式系统的数据吞吐瓶颈烦恼吗？让MT47H256M8EB-25E XIT:C TR为您注入强大动力！这颗美光出品的2Gb DDR2 SDRAM芯片，凭借256M x 8的并行接口和400MHz的高效时钟，能轻松胜任高速数据缓冲和实时处理任务，显著提升您的系统响应速度。

它更能在-40°C到95°C的极端温度范围内稳定工作，电压适应范围1.7V至1.9V，为您在工业控制、汽车电子、网络设备等严苛环境下的应用提供坚如磐石的可靠性。选择它，就是为您的核心设计选择了一份经过验证的持久保障。

• 型号:MT47H256M8EB-25E XIT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
• MT47H256M8EB-25E XIT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。