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您正在寻找一颗能扛起系统核心代码存储与快速执行重任的闪存芯片吗？M28W640FST70ZA6E正是为您而来。这颗64Mb（4M x 16）的并行NOR闪存，拥有高达70ns的极速访问能力，让您的微处理器能够直接从闪存中高效执行代码，大幅简化设计并加速系统启动和运行响应。

它采用2.7V~3.6V宽电压供电，并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，让您的设备无论是置于严寒户外还是高温机箱内，都能稳定可靠地工作。其并联接口和可靠的TBGA封装，为您提供了高性能与高集成度的完美平衡，是工业控制、汽车电子、网络通信等关键领域的理想存储解决方案。

• 型号:M28W640FST70ZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-TBGA（10x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64TBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-TBGA
• 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
• M28W640FST70ZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。