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还在为嵌入式系统的内存性能瓶颈而烦恼吗？让MT48H16M32L2B5-10 TR为您带来颠覆性的体验！这颗美光出品的512Mb移动低功耗SDRAM，凭借100MHz时钟频率与7.5ns的极速访问时间，能瞬间提升您的数据处理效率，让图形渲染、实时控制、数据缓冲等任务流畅无比。

它专为苛刻环境而生，1.7V~1.9V的超低工作电压显著优化系统功耗，0°C至70°C的宽温范围确保在各种场合下稳定运行。其90-VFBGA紧凑封装更让您轻松实现高密度PCB布局，是工业控制、通信设备、便携终端等应用的理想内存解决方案，助您高效打造更具竞争力的产品。

• 型号:MT48H16M32L2B5-10 TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:16M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:7.5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT48H16M32L2B5-10 TR，Micron（美光）产品一站式供应商。