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还在为寻找高性价比、高可靠性的内存方案而烦恼吗？让MT47H512M8WTR-3:C来为您排忧解难！这颗美光出品的4Gb DDR2 SDRAM芯片，能以高达333MHz的速度高效处理数据，其512M x 8的并行架构让数据吞吐轻松自如，是提升系统响应速度的得力助手。

它采用1.8V低电压供电，在保证强劲性能的同时，帮助您有效控制整体功耗。表面贴装的63-TFBGA封装形式，更便于您进行紧凑的PCB布局设计。无论是用于工业控制、网络设备还是其他需要稳定内存支持的领域，它都能让您的产品运行更稳健、更高效。

• 型号:MT47H512M8WTR-3:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（9x11.5）
• MT47H512M8WTR-3:C，Micron（美光）产品一站式供应商。