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您正在为高性能计算或通信设备寻找一颗“心脏”级的内存解决方案吗？MT49H16M18BM-25:B TR正是您期待的答案。这颗288Mb（16M x 18）容量的并行DRAM，能以高达400MHz的时钟频率疾速运行，配合仅20ns的访问时间，让您的系统轻松实现数据的高速吞吐与实时处理，大幅提升整体响应效率。

它采用先进的1.8V左右低电压核心供电，在提供强劲性能的同时，有效帮助您控制设备功耗与发热。其坚固的144-TFBGA封装和宽泛的工业级工作温度范围（0°C ~ 95°C），确保了在各种苛刻环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的设计注入一颗经过验证、可靠耐用的“性能引擎”。

• 型号:MT49H16M18BM-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18BM-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。