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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的核心存储方案吗？MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR正是您期待的答案。这颗来自美光科技的1Gb并行NAND闪存芯片，旨在让您的设备拥有闪电般的响应速度和海量的数据存储能力。其128M x 8的架构，配合并联接口，能高效处理数据读写任务，显著提升系统整体性能。

它能在-40°C至85°C的宽温范围内稳定工作，并适应2.7V~3.6V的电压波动，确保您的产品无论是在炎热的户外还是严寒的工业现场，都能可靠运行。采用表面贴装的48-TFSOP紧凑封装，让您能轻松将其集成到空间受限的设计中，实现产品的小型化与高性能的完美统一。选择它，就是为您的创新应用注入一颗强劲、可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。