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还在为系统数据吞吐速度不够快而烦恼吗？MT49H8M36BM-25:B就是您期待的解决方案！这颗美光出品的288Mb并行DRAM，能以高达400MHz的时钟频率飞速运转，配合20ns的超低访问时间，让您的应用轻松实现数据的即时读写与处理，彻底告别延迟卡顿。

它采用高效的8M x 36位宽并联接口和1.8V左右的核心电压，在为您提供强大带宽支持的同时，也实现了出色的能效表现。无论是用于加速网络设备的数据交换，还是提升工业控制器的实时响应能力，它都能让您的设计如虎添翼，运行更加流畅高效。

• 型号:MT49H8M36BM-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。