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您是否正在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心？MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的256Gb NAND闪存芯片，采用并联接口与100MHz时钟频率，能为您的高速设备提供澎湃的数据吞吐动力，让海量数据存取变得轻松而高效。

它拥有32G x 8的宽阔存储架构，如同为您的系统配备了一个高速且容量惊人的数据仓库。其2.7V~3.6V的宽电压工作范围与0°C~70°C的工作温度，确保了在各种应用环境下稳定运行的坚韧品质。无论是用于加速您的嵌入式系统，还是作为关键的数据存储单元，它都能让您的设计脱颖而出，赢得市场先机。

• 型号:MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-TBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:132-TBGA（12x18）
• MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A，Micron（美光）产品一站式供应商。